BATOP SESAM的關(guān)鍵參數(shù)有哪些?
中心波長:BATOP SESAM可提供多種中心波長的選擇,常見的如800nm、940nm、1064nm、1550nm等,覆蓋了從可見光到近紅外的范圍,以滿足不同應(yīng)用場景對特定波長激光的需求。
飽和吸收率:不同型號的SESAM具有不同的飽和吸收率,例如可能有1%、2%、5%等多種選擇。飽和吸收率決定了SESAM對光強(qiáng)的敏感程度以及在達(dá)到飽和狀態(tài)時(shí)能夠透過的光量,對于實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的鎖模和控制脈沖特性至關(guān)重要。
調(diào)制深度:反映了SESAM對光脈沖的調(diào)制能力,調(diào)制深度越大,越能有效地對光脈沖進(jìn)行整形和壓縮,從而獲得更窄的脈沖寬度和更高的峰值功率。
高反射帶寬:決定了SESAM能夠反射的光譜范圍,較寬的高反射帶寬可以支持更寬譜寬的激光,有助于產(chǎn)生更短的超短脈沖。
馳豫時(shí)間:半導(dǎo)體的吸收一般有兩個(gè)特征馳豫時(shí)間,帶內(nèi)熱平衡(intrabandthermalization)馳豫時(shí)間和帶間躍遷(interbandtransition)馳豫時(shí)間。帶內(nèi)熱平衡馳豫時(shí)間很短,在100-200fs左右,而帶間躍遷馳豫時(shí)間則相對較長,從幾ps到幾百ps。這兩個(gè)馳豫時(shí)間對于SESAM的鎖模性能和脈沖特性有著重要影響,例如帶間躍遷馳豫時(shí)間主要取決于半導(dǎo)體生長時(shí)襯底的溫度,生長時(shí)的溫度越低,帶間躍遷馳豫時(shí)間越短。
恢復(fù)時(shí)間:指的是SESAM從飽和狀態(tài)恢復(fù)到非飽和狀態(tài)所需的時(shí)間,較短的恢復(fù)時(shí)間有利于SESAM在高重復(fù)頻率的激光系統(tǒng)中快速響應(yīng),實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的鎖模。
損傷閾值:表示SESAM能夠承受的最大光強(qiáng),超過該閾值可能會(huì)導(dǎo)致SESAM損壞。在實(shí)際應(yīng)用中,需要根據(jù)激光系統(tǒng)的功率來選擇具有合適損傷閾值的SESAM,以確保其長期穩(wěn)定工作。
能量飽和密度:反映了SESAM在單位面積上能夠吸收的最大能量,與飽和吸收率和損傷閾值等參數(shù)相關(guān),對于高能量激光系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和應(yīng)用具有重要意義。